Diaphragm for limiting electron beam - has two doped monocrystalline silicon bars at right angles across aperture in metal ring

Diaphragme pour dispositif d'optique electronique

Abstract

<P>L'invention a pour objet un diaphragme pour dispositif d'optique électronique. </P><P>Ce diaphragme est formé d'au moins deux languettes de silicium dopé et d'épaisseur de l'ordre de 100 à 200 mu m taillées suivant des plans de clivage, avec une linéarité de l'ordre de 1 mu m. </P><P>L'invention s'applique spécialement aux systèmes de masquage électronique.</P>
the diaphragm for an electron beam, has two orthogonal bars (1, 2) made of monocrystalline silicon and supported by a metal ring (3). The assembly so-formed constitutes a window (4) through which the electron beam passes. The bars have a depth of 100-200 microns and are doped so that they have a resistivity of less than 10 ohm. cm. The cleavage faces of the bars are polished to within +/- 1 micron. The advantage of using silicon bars instead of e.g. molybdenum lies in their being more resistant to electron bombardment.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    FR-2337420-A1July 29, 1977Fujitsu LtdAppareil lithographique a faisceau electronique
    FR-895838-AFebruary 05, 1945Fides GmbhAppareil à diffraction des électrons

NO-Patent Citations (1)

    Title
    NV8030/72

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle